Методом электронной оже-спектроскопии изучена поверхностная сегрегация галлия в разбавленных твердых растворах Al–Ga с объемными концентрациями 1.1, 2.4, 4.2, 7.4 мас. % Ga при температурах от комнатной до 573 К. Отмечается, что для всех изученных сплавов наблюдалась значительная сегрегация галлия. С использованием полученных значений поверхностной концентрации Ga построены зависимости энергии сегрегации от поверхностной концентрации атомов Ga при разных температурах.
Индексирование
Scopus
Crossref
Higher Attestation Commission
At the Ministry of Education and Science of the Russian Federation