Методом электронной оже-спектроскопии изучена поверхностная сегрегация галлия в разбавленных твердых растворах Al–Ga с объемными концентрациями 1.1, 2.4, 4.2, 7.4 мас. % Ga при температурах от комнатной до 573 К. Отмечается, что для всех изученных сплавов наблюдалась значительная сегрегация галлия. С использованием полученных значений поверхностной концентрации Ga построены зависимости энергии сегрегации от поверхностной концентрации атомов Ga при разных температурах.
Индексирование
Scopus
Crossref
Высшая аттестационная комиссия
При Министерстве образования и науки Российской Федерации