Статьи автора

Влияние отталкивательных электронных состояний на параметры тонкой структуры основного электронного состояния радикала OH

Номер выпуска 5 от 12.09.2025

В рамках аппарата теории возмущений (контактных преобразований Ван Флека) выполнены расчеты вкладов возбужденных электронных состояний в параметры тонкой структуры основного электронного состояния радикала OH. Необходимые для этого функции потенциальной энергии электронных состояний и матричные элементы спин-орбитального и электронно-вращательного взаимодействия найдены из первых принципов. Показано, что отталкивательные (разлетные) возбужденные электронные состояния играют ключевую роль в зависимости параметров тонкой структуры основного состояния от величины колебательного возбуждения.

1 0